恭喜三星电子株式会社金炫哲获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224063B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110074133.3，技术领域涉及：H10B41/40；该发明授权半导体存储器装置是由金炫哲;金容锡;山田悟;柳成原;李炅奂;洪载淏设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：半导体存储器装置可以包括在第一方向上彼此间隔开的第一电极和第二电极以及与第一电极和第二电极两者接触的第一半导体图案。第一半导体图案可以包括在第一方向上顺序地设置的第一子半导体图案至第四子半导体图案。第一子半导体图案和第四子半导体图案可以分别与第一电极和第二电极接触。第一子半导体图案和第三子半导体图案可以具有第一导电类型，第二子半导体图案和第四子半导体图案可以具有与第一导电类型不同的第二导电类型。第一子半导体图案至第四子半导体图案中的每一个可以包括过渡金属和硫族元素。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，包括：在第一方向上彼此间隔开的第一电极和第二电极；以及第一半导体图案，其与所述第一电极和所述第二电极两者接触，其中：所述第一半导体图案包括在所述第一方向上顺序地设置的第一子半导体图案至第四子半导体图案，所述第一子半导体图案与所述第一电极接触，所述第四子半导体图案与所述第二电极接触，所述第一子半导体图案和所述第三子半导体图案具有第一导电类型，所述第二子半导体图案和所述第四子半导体图案具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，所述第一子半导体图案至所述第四子半导体图案中的每一个包括过渡金属和硫族元素，所述第一子半导体图案和所述第三子半导体图案由MoSa或WSb形成，所述第二子半导体图案和所述第四子半导体图案由MoSec或WSed形成，下标a至d各自独立地为等于或小于2的正实数，并且下标c大于下标a并且下标b大于下标d。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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