恭喜台湾积体电路制造股份有限公司叶书伸获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利芯片封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113113392B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110023444.7，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权芯片封装结构及其形成方法是由叶书伸;林柏尧;郑心圃;赖柏辰;李光君;杨哲嘉;汪金华;林义航设计研发完成，并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：提供芯片封装结构及其形成方法。此方法包含设置第一芯片结构和第二芯片结构于线路基板之上。第一芯片结构与第二芯片相隔一间隙。此方法还包含设置环形结构于线路基板之上。环形结构具有第一开口，第一芯片结构和第二芯片结构位于第一开口中，第一开口具有第一内壁，第一内壁具有第一凹陷，且间隙朝向该第一凹陷延伸。
本发明授权芯片封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构的形成方法，包括：设置一第一芯片结构和一第二芯片结构于一线路基板之上，其中该第一芯片结构与该第二芯片结构相隔一间隙；设置一环形结构于该线路基板之上，其中该环形结构具有一第一开口，该第一芯片结构和该第二芯片结构位于该第一开口中，该第一开口具有一第一内壁，该第一内壁具有一第一凹陷，且该间隙朝向该第一凹陷延伸；以及在设置该环形结构于该线路基板之上之前，形成一粘着层于该线路基板之上，其中该环形结构位于该粘着层之上，其中，该粘着层具有在该第一开口下方的一第二开口，该第二开口具有一第二内壁，且该第二内壁具有在该第一凹陷下方的一第二凹陷。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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