恭喜台湾积体电路制造股份有限公司冯东鸿获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于在衬底之上涂覆光致抗蚀剂的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113156769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110017143.3，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权用于在衬底之上涂覆光致抗蚀剂的方法和装置是由冯东鸿;李蕙君;江胜文;王士哲设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于在衬底之上涂覆光致抗蚀剂的方法和装置在说明书摘要公布了：本申请涉及用于在衬底之上涂覆光致抗蚀剂的方法和装置。在一种在晶圆之上涂覆光致抗蚀剂的方法中，在旋转晶圆时开始从喷嘴在晶圆之上分配光致抗蚀剂，并在旋转晶圆时停止分配光致抗蚀剂。在开始分配光致抗蚀剂之后并且停止分配光致抗蚀剂之前，改变晶圆旋转速度至少4次。在分配期间，保持喷嘴的臂可水平移动。喷嘴的尖端可位于距晶圆的2.5mm至3.5mm的高度处。
本发明授权用于在衬底之上涂覆光致抗蚀剂的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种在晶圆之上涂覆光致抗蚀剂的方法，包括：在旋转所述晶圆时开始从喷嘴在所述晶圆之上分配所述光致抗蚀剂；在旋转所述晶圆时停止分配所述光致抗蚀剂；以及在开始分配所述光致抗蚀剂之后并且停止分配所述光致抗蚀剂之前，改变晶圆旋转速度至少4次；其中，分配所述光致抗蚀剂包括：在以第一速度旋转所述晶圆时分配所述光致抗蚀剂；在以高于所述第一速度的第二速度旋转所述晶圆时持续分配所述光致抗蚀剂；在以低于所述第二速度且高于所述第一速度的第三速度旋转所述晶圆时持续分配所述光致抗蚀剂；在以高于所述第一速度和所述第三速度且低于所述第二速度的第四速度旋转所述晶圆时持续分配所述光致抗蚀剂；在以高于所述第一速度和所述第三速度且低于所述第二速度的第五速度旋转所述晶圆并将所述喷嘴从所述晶圆的中心向所述晶圆的边缘水平移动时持续分配所述光致抗蚀剂；并且在以高于所述第一速度且低于所述第四速度和所述第五速度的第六速度旋转所述晶圆时停止分配所述光致抗蚀剂。
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