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龙图腾网恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种等离子体处理设备及工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011605586.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种等离子体处理设备及工作方法是由倪图强;黄允文;吴磊;王凯麟设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种等离子体处理设备及工作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种等离子体处理设备及工作方法，包括：真空的反应腔体，其侧壁上设有第一开口；基座，位于所述反应腔体内底部，用于承载基片；气体喷淋头，位于所述反应腔体内顶部，且与基座相对设置；内衬，位于反应腔体的侧壁的内侧，所述内衬设有第二开口，所述第二开口与所述第一开口相对设置，供基片进出反应腔体；接地环，设于所述基座的外围，且与所述内衬连接；导电遮挡部件，用于遮挡第二开口，且所述气体喷淋头、反应腔体的顶部、内衬、导电遮挡部件与接地环之间形成射频回路；第一驱动装置，驱动所述导电遮挡部件上下移动，以遮挡或者打开所述第二开口。本发明设置导电遮挡部件，遮挡内衬处的缺口，保证内衬的完整性，使射频回路均匀。

本发明授权一种等离子体处理设备及工作方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：真空的反应腔体，其侧壁上设有第一开口；基座，位于所述反应腔体内底部，用于承载基片；气体喷淋头，位于所述反应腔体内顶部，且与基座相对设置；内衬，位于反应腔体的侧壁的内侧，所述内衬设有第二开口，所述第二开口与所述第一开口相对设置，供基片进出反应腔体；所述内衬的下端具有朝所述基座所在方向横向延伸的横向结构；接地环，设在所述横向结构和所述基座之间的间隔处；所述接地环环绕所述基座外围设置，与所述基座之间电隔离，且与所述内衬连接；导电遮挡部件，用于遮挡第二开口，且所述气体喷淋头、反应腔体的顶部、内衬、导电遮挡部件与接地环之间形成射频回路；第一驱动装置，用于驱动所述导电遮挡部件上下移动，以遮挡或者打开所述第二开口。

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