恭喜美光科技公司合田晃获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利存储器装置、电子系统以及相关设备和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011587702.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权存储器装置、电子系统以及相关设备和方法是由合田晃;M·奥莱谢设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置、电子系统以及相关设备和方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器装置、电子系统以及相关设备和方法。所述设备包括：堆叠，其包括介电结构和导电结构的交替序列；第一沟道材料，其竖直延伸穿过所述堆叠；以及第二沟道材料，其邻近所述第一沟道材料且竖直延伸穿过所述堆叠。所述第一沟道材料具有第一带隙，且所述第二沟道材料具有相对大于所述第一带隙的第二带隙。所述设备进一步包括：导电插塞结构，其邻近于所述第一沟道材料和所述第二沟道材料中的每一者；及导电线结构，其邻近于所述导电插塞结构。
本发明授权存储器装置、电子系统以及相关设备和方法在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括：堆叠，其包括介电结构和导电结构的交替序列；氧化物-氮化物-氧化物ONO结构，其包括竖直延伸穿过所述堆叠的基本线性的侧壁；第一沟道材料，其直接侧向邻近所述ONO结构且包括竖直延伸穿过所述堆叠的基本线性的侧壁，所述第一沟道材料具有第一带隙；第二沟道材料，其邻近所述第一沟道材料且包括沿着所述第一沟道材料的整个高度竖直延伸穿过所述堆叠的基本线性的侧壁，所述第二沟道材料具有相对大于所述第一带隙的第二带隙，所述第一沟道材料侧向插在所述ONO结构与所述第二沟道材料之间，其中所述第一沟道材料和所述第二沟道材料的下表面相对于所述ONO结构的下表面垂直升高；导电插塞结构，其邻近于所述第一沟道材料和所述第二沟道材料中的每一者；以及导电线结构，其邻近于所述导电插塞结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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