恭喜美光科技公司高荣范获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利形成具有用于堆叠裸片封装的周边轮廓的半导体裸片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053813B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011563035.8，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权形成具有用于堆叠裸片封装的周边轮廓的半导体裸片的方法是由高荣范;白宗植设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成具有用于堆叠裸片封装的周边轮廓的半导体裸片的方法在说明书摘要公布了：本发明技术涉及形成具有用于堆叠裸片封装的周边轮廓的半导体裸片的方法。举例来说，所述方法可包括沿着切道从晶片的后侧到所述晶片的所述后侧与所述晶片的前侧之间的中间深度形成第一通道。所述第一通道具有第一倾斜侧壁和第二倾斜侧壁。接着通过沿着所述第一通道的第一侧壁与第二侧壁之间的区从所述晶片中的所述中间深度朝向所述晶片的所述前侧进行激光切割来形成第二通道。所述第一倾斜侧壁限定在第一半导体裸片的一侧处的带槽区，且所述第二倾斜侧壁限定在第二半导体裸片的一侧处的带槽区。
本发明授权形成具有用于堆叠裸片封装的周边轮廓的半导体裸片的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成具有带槽区的半导体裸片的方法，所述方法包括：使用分割刀片沿着切道从晶片的后侧到所述晶片的所述后侧与所述晶片的前侧之间的中间深度形成第一通道，其中所述第一通道具有从所述后侧朝向所述中间深度朝向彼此会聚的第一倾斜侧壁和第二倾斜侧壁；以及在形成所述第一通道的同时，使用所述分割刀片沿着所述第一通道的第一侧壁与第二侧壁会合的界面区从所述晶片中的所述中间深度朝向所述晶片的所述前侧形成第二通道，从而使沿着所述第一侧壁的一组第一半导体裸片与沿着所述第二侧壁的一组第二半导体裸片分离，其中所述第一倾斜侧壁限定在所述第一半导体裸片的一侧处的带槽区，且所述第二倾斜侧壁限定在所述第二半导体裸片的一侧处的带槽区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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