恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司伊凡·比久科夫获国家专利权
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龙图腾网恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利等离子体处理装置及其处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011535893.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体处理装置及其处理方法是由伊凡·比久科夫设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理装置及其处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：反应腔；基台，其设置在所述反应腔中，所述基台中具有第一气体通道；多个第一气体供应源，所述多个第一气体供应源与第一气体通道连接，多个第一气体供应源中的任一个第一气体供应源与所述第一气体通道之间具有阀门；第二气体供应装置，其设置在所述反应腔中且与所述基台相对设置。本发明还公开了一种无晶圆清洗方法。
本发明授权等离子体处理装置及其处理方法在权利要求书中公布了：1.一种用于等离子体处理装置的处理方法，所述等离子体处理装置包括：反应腔；基台，其设置在所述反应腔中，所述基台中具有第一气体通道；多个第一气体供应源，所述多个第一气体供应源与第一气体通道连接，多个第一气体供应源中的任一个第一气体供应源与所述第一气体通道之间具有阀门，所述第一气体供应源包括以下的一种或多种：氦气供应源、氧气供应源、氮气供应源、氩气供应源；第二气体供应装置，其设置在所述反应腔中且与所述基台相对设置；所述方法包括：通过所述第二气体供应装置向反应腔内通入清洁气体；施加射频能量将清洁气体激发成等离子体对反应腔腔室内部进行清洁，使所述反应腔腔体压强为第一压强；在等离子体对反应腔腔室内部进行清洁时，第一气体通道持续提供气体压强为第二压强的非氦气的供应气体，所述第二压强大于所述第一压强。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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