恭喜高通股份有限公司K·康获国家专利权
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龙图腾网恭喜高通股份有限公司申请的专利采用具有裸片区域分离的导热封装衬底的集成电路(IC)封装及相关的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115039219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080095459.8，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权采用具有裸片区域分离的导热封装衬底的集成电路(IC)封装及相关的制造方法是由K·康;A·帕蒂尔;B·严;D·何设计研发完成，并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本采用具有裸片区域分离的导热封装衬底的集成电路(IC)封装及相关的制造方法在说明书摘要公布了：公开了采用具有裸片区域分离的导热半导体封装衬底的集成电路IC封装及相关制造方法。封装衬底包括裸片分离，其中在多个IC裸片下面的封装衬底的一个或多个介电层中的金属接触件例如，在核心裸片区域中比该介电层中的其它金属接触件例如，在外围裸片区域中厚。这有助于多个IC裸片通过封装衬底中的较厚金属接触件的较高热学消散。封装衬底的串扰屏蔽可以不被牺牲，因为承载高速信令的封装衬底的较薄金属接触件可以具有比提供较高热学消散的较厚金属接触件小的厚度。封装衬底中的介电层还可以包括具有不同热导率的介电材料，以进一步促进热学消散和或所需的电学或机械特性。
本发明授权采用具有裸片区域分离的导热封装衬底的集成电路(IC)封装及相关的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路封装，包括：衬底，被设置在水平面中，所述衬底包括：第一介电材料，具有第一热导率；第二介电材料，具有第二热导率，所述第二热导率低于所述第一热导率；以及布线层，包括：一个或多个第一金属接触焊盘，被设置为与所述第一介电材料相邻，所述一个或多个第一金属接触焊盘各自在正交于所述水平面的高度方向上具有第一高度；以及一个或多个第二金属接触焊盘，被设置为与所述第二介电材料相邻，所述一个或多个第二金属接触焊盘各自在所述高度方向上具有第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，其中所述第一介电材料在所述高度方向上具有第一介电材料最大高度，所述第二介电材料在所述高度方向上具有第二介电材料最大高度，所述第一介电材料最大高度大于所述第二介电材料最大高度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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