买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜意法半导体(鲁塞)公司申请的专利微电子器件和用于制造这样的器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011398976.0，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权微电子器件和用于制造这样的器件的方法是由R·盖伊;A·马扎基设计研发完成，并于2020-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本微电子器件和用于制造这样的器件的方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及微电子器件和用于制造这样的器件的方法。一种器件包括位于衬底的相同第一部分的MOS晶体管和双极晶体管。第一部分包括掺杂有形成MOS晶体管的沟道的第一类型的第一阱和与第一类型相对的掺杂有第二类型的两个第一区域，该第一区域布置在构成MOS晶体管的源极和漏极的第一阱中。第一部分还包括：掺杂有相对于第一阱横向布置以形成双极晶体管基极的第二类型的第二阱；掺杂第一类型的第二区域，该第二区域布置在第二阱中以形成双极晶体管的发射极；以及掺杂第一类型的第三区域，该第三区域布置在第二阱下面，形成双极晶体管的集电极。

本发明授权微电子器件和用于制造这样的器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种微电子器件，包括：衬底；高电压MOS晶体管，在所述衬底的第一部分中和或在所述衬底的第一部分上；以及双极晶体管，在所述衬底的相同第一部分中和或在所述衬底的相同第一部分上；其中所述第一部分包括：第一阱，掺杂有第一类型，所述第一阱与所述衬底电绝缘，并且被配置为形成所述高电压MOS晶体管的沟道；两个第一区域，掺杂有与所述第一类型相对的第二类型，所述两个第一区域被布置在所述第一阱中，并且被配置为分别形成所述高电压MOS晶体管的源极和漏极；第二阱，掺杂有所述第二类型，所述第二阱相对于所述第一阱横向地布置以形成所述双极晶体管的基极；第二区域，掺杂有所述第一类型，所述第二区域被布置在所述第二阱中，以形成所述双极晶体管的发射极；第三区域，掺杂有所述第一类型，所述第三区域被布置在所述第二阱之下，并且所述第三区域与所述第二阱接触以形成所述双极晶体管的集电极；第四区域，掺杂有所述第二类型，所述第四区域相对于所述第二区域横向地布置在所述第二阱中，所述第四区域被配置为形成用于所述双极晶体管的所述基极的电接触插头；以及绝缘区域，在所述第二阱中，所述绝缘区域横向地将所述第四区域与所述第二区域分隔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。