恭喜弗萨姆材料美国有限责任公司史晓波获国家专利权
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龙图腾网恭喜弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利高氧化物膜去除速率浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114929822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092710.5，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权高氧化物膜去除速率浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光是由史晓波;K·P·穆瑞拉;J·D·罗斯;周鸿君;M·L·奥尼尔设计研发完成，并于2020-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本高氧化物膜去除速率浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光在说明书摘要公布了：提供了高氧化物膜去除速率浅沟槽隔离STI化学机械平面化CMP抛光组合物、其使用方法和系统。该CMP抛光组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒的磨料，例如二氧化铈涂覆的二氧化硅；以及用于提供高氧化物膜去除速率的化学添加剂。该化学添加剂是在同一分子上具有负电荷和正电荷的明胶分子。
本发明授权高氧化物膜去除速率浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光在权利要求书中公布了：1.一种化学机械平面化抛光组合物，其包含：二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒；明胶分子，其在同一分子上包含提供负电荷的有机羧酸根官能团和提供正电荷的质子化有机氨基；水溶性溶剂；和任选地杀生物剂；和pH调节剂；其中所述组合物的pH值为2至12；以及所述明胶分子的浓度为0.0415重量％至0.25重量％。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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