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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112542459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011374599.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法是由詹益旺;童宇诚;李甫哲;郭明峰;刘安淇;林刚毅设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件在沿沟槽栅结构的方向上，延伸至所述有源图案、所述隔离图案和所述沟槽栅结构内部的第二接触孔的孔径大于贯穿所述第一层间绝缘层的第一接触孔的孔径，使得位线结构与其两侧的接触孔侧壁之间具有足够的空间形成间隔物的同时，位线具有较大的线宽，降低工艺难度，并减少了器件的缺陷的产生。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述衬底上的沿第一方向的若干间隔设置的有源图案；所述有源图案包含一掺杂区；其中，每个所述有源图案之间通过隔离图案隔离；位于所述衬底上的沿第二方向的若干间隔设置的沟槽栅结构；其中，每个所述沟槽栅结构与至少一个所述有源图案相交；位于所述衬底上方且覆盖所述有源图案和所述沟槽栅结构的第一层间绝缘层；贯穿所述第一层间绝缘层并延伸至所述有源图案、所述隔离图案和所述沟槽栅结构内部的接触孔；其中，所述接触孔设置于所述有源图案中间位置处，且所述接触孔包括贯穿所述第一层间绝缘层的第一接触孔，以及延伸至所述有源图案、所述隔离图案和所述沟槽栅结构内部的第二接触孔；所述第二接触孔沿所述第二方向的孔径大于所述第一接触孔沿所述第二方向的孔径；位于所述第一层间绝缘层上方的沿第三方向的若干间隔设置的位线结构；其中，所述位线结构与所述沟槽栅结构垂直相交，每个所述位线结构与至少一个所述有源图案通过对应的所述接触孔连接，所述位线结构沿所述第二方向的线宽小于所述第一接触孔沿所述第二方向的孔径；所述第一层间绝缘层为三层叠层结构，包括上层介质、中层介质和下层介质；其中，所述第一接触孔包括贯穿所述上层介质的上接触孔、贯穿所述中层介质的中接触孔和贯穿下层介质的下接触孔；所述上接触孔和所述下接触孔沿所述第二方向的孔径均大于所述中接触孔沿所述第二方向的孔径；所述中接触孔沿所述第二方向的孔径为所述第一接触孔沿所述第二方向的孔径。

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