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龙图腾网恭喜北京邮电大学申请的专利硅上III-V族半导体外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566423B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011359732.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权硅上III-V族半导体外延结构及其制备方法是由任晓敏;张翼东;刘昊;王琦;刘凯设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅上III-V族半导体外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种硅上III‑V族半导体外延结构及其制备方法，该方法包括：在硅衬底上直接或间接生长适配层；在所述适配层上直接或间接生长III‑V族半导体目标外延结构；其中，所述适配层包括三元系III族砷化物适配层或二元系III‑V族化合物适配层。该方法生长工艺简单，易调控，对生长设备没有特殊要求。特别是，降低穿透位错密度所需的适配层的厚度薄，使得后续通过增加层数和厚度来优化III‑V族半导体外延结构变为可能，利于硅上高性能III‑V族半导体器件的制备。

本发明授权硅上III-V族半导体外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅上III-V族半导体外延结构的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底上直接或间接生长适配层；在所述适配层上直接或间接生长III-V族半导体目标外延结构；其中，所述适配层包括三元系III族砷化物适配层或二元系III-V族化合物适配层；在所述适配层上直接生长III-V族半导体目标外延结构，包括：在所述适配层上生长晶格常数相匹配的III-V族目标半导体外延结构，或适配层晶格失配度介于-5.2％～-7.8％之间的III-V族目标半导体外延结构；在所述适配层上间接生长III-V族半导体目标外延结构，包括：在所述适配层上生长III-V族化合物过渡层后，在所述III-V族化合物过渡层上生长所述III-V族半导体目标外延结构；所述适配层，是具有闪锌矿晶体结构，且晶格常数介于与之间的III-V族化合物外延层；或者所述适配层的材料为Inx1Ga1-x1As或Inx2Al1-x2As；所述三元系III族砷化物适配层的组分优化值结合待生长的III-V族半导体目标外延结构予以确定；其中，0.15≤x1≤1，0.13≤x2≤1；所述III-V族化合物过渡层中引入常规应力释放机制和或位错阻挡机制，用于降低所述III-V族半导体目标外延结构与所述硅衬底之间的应力。

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