恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张庆裕获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利凸块结构及制造凸块结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011193620.3，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权凸块结构及制造凸块结构的方法是由张庆裕;郑明达;翁明晖设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本凸块结构及制造凸块结构的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及凸块结构及制造凸块结构的方法。具体地，制造凸块结构的方法包括在基板上方形成钝化层。在所述基板上方形成金属衬垫结构，其中所述钝化层围绕所述金属衬垫结构。在所述钝化层和所述金属衬垫结构上方形成包含聚酰亚胺的聚酰亚胺层。在所述金属衬垫结构和所述聚酰亚胺层上方形成金属凸块。所述聚酰亚胺是二酐和二胺的反应产物，其中所述二酐和所述二胺中的至少一者包括选自由以下项组成的组的一者：环烷烃、稠环、双环烷烃、三环烷烃、双环烯烃、三环烯烃、螺烷烃和杂环。
本发明授权凸块结构及制造凸块结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造凸块结构的方法，所述方法包括：在基板上方形成钝化层；在所述基板上方形成金属衬垫结构，其中所述钝化层围绕所述金属衬垫结构；在所述钝化层和所述金属衬垫结构上方形成包含聚酰亚胺的聚酰亚胺层；以及在所述金属衬垫结构和所述聚酰亚胺层上方形成金属凸块，其中所述聚酰亚胺是二酐和二胺的反应产物，其中所述二酐和所述二胺中的至少一者包括选自由以下项组成的组的一者：环烷烃、稠环、双环烷烃、三环烷烃、双环烯烃、三环烯烃、螺烷烃和杂环，其中所述形成钝化层包括：在所述基板上方形成第一钝化层；以及在所述第一钝化层上方形成第二钝化层，其中所述第一钝化层和所述第二钝化层由不同的材料制成。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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