恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司王智昊获国家专利权
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龙图腾网恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种接地环及等离子体刻蚀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011136180.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种接地环及等离子体刻蚀设备是由王智昊;傅时梁;王伟娜;黄允文;倪图强设计研发完成，并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种接地环及等离子体刻蚀设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种接地环及等离子体刻蚀设备，通过在接地环上设置通孔，连通接地环和基座空隙与真空反应腔的底部空腔，当通过底部空腔抽气时，可以避免空隙中的颗粒污染物向上运动污染基片，而是从通孔直接横向进入空腔进而排出，同时在基座边沿处的气体遮挡环可以进一步阻止在空隙中的颗粒污染物向上运动，提高基片刻蚀的良率，此外，接地环上的通孔面积还保证了真空反应腔内部RF回路的稳定导通，保证内部射频电场的均匀性。
本发明授权一种接地环及等离子体刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，包括：真空反应腔，其内部设置有用于承载基片的基座；气体注入装置，用于向所述真空反应腔内输送反应气体；接地环，其位于所述真空反应腔的侧壁和基座之间，环绕所述基座设置，且沿基座的侧壁方向具有一定的延展；所述接地环与所述基座之间具有空隙，所述接地环上设置有多个通孔，多个所述通孔的总面积小于等于所述接地环表面积的80％，多个所述通孔非均匀环绕设置在所述接地环中上方，以使射频电流密度的分布平衡。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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