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龙图腾网恭喜新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置及单片化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111195720.4，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权半导体装置及单片化方法是由松岛芳宏;川上良彦;小田真也;原田刚史设计研发完成，并于2020-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及单片化方法在说明书摘要公布了：一种单片化方法，将在上表面形成了多个半导体元件构造的晶片进行单片化，包括：第1工序，在上述晶片的上表面形成表面保持膜；第2工序，将上述晶片的下表面减薄加工；第3工序，从上述晶片的上表面将上述表面保持膜除去；第4工序，在被减薄加工后的上述晶片的下表面形成厚度为10μm以上的金属层；第5工序，向上述金属层的下表面粘贴切割带；第6工序，对上述晶片的上表面实施使上述晶片的表面的亲水性提高的处理；第7工序，在上述晶片的表面形成水溶性保护层；第8工序，向上述晶片的上表面的规定的区域照射激光而将上述金属层切断；以及第9工序，使用清洗用水从上述晶片的表面将上述水溶性保护层除去；在从上述第6工序结束到上述第7工序开始的期间，还包括在不丧失上述晶片的表面的亲水性的保管环境中保管上述晶片的保管工序。

本发明授权半导体装置及单片化方法在权利要求书中公布了：1.一种单片化方法，将在上表面形成了多个半导体元件构造的晶片进行单片化，其特征在于，依次包括：第1工序，在上述晶片的上表面形成表面保持膜；第2工序，将上述晶片的下表面减薄加工；第3工序，从上述晶片的上表面将上述表面保持膜除去；第4工序，在被减薄加工后的上述晶片的下表面形成厚度为10μm以上的金属层；第5工序，向上述金属层的下表面粘贴切割带；第6工序，是对上述晶片的上表面实施使上述晶片的表面的亲水性提高的处理的工序，将在上述第3工序中没有被从上述晶片的上表面完全除去而残留的上述表面保持膜进行清洗；第7工序，在上述晶片的表面形成水溶性保护层；第8工序，向上述晶片的上表面的规定的区域照射激光而将上述金属层切断；以及第9工序，使用清洗用水从上述晶片的表面将上述水溶性保护层除去；在从上述第6工序结束到上述第7工序开始的期间，还包括在不丧失上述晶片的表面的亲水性的保管环境中保管上述晶片的保管工序。

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