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龙图腾网恭喜株式会社田村制作所申请的专利栅极驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112583394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011024964.1，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权栅极驱动电路是由小川纮生设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本栅极驱动电路在说明书摘要公布了：本发明涉及栅极驱动电路。本发明提供一种更简易的电路结构且使用了N沟道MOSFET的栅极驱动电路的高边驱动器。一种对功率半导体开关进行驱动的高边驱动器电路，其具备：主开关N沟道MOSFET，漏极端子连接于电源的正侧Vdc，源极端子连接于对功率半导体开关进行驱动的信号的OUT端子；电荷蓄积电路，从Vdc蓄积电荷；带电压检测功能的开关，检测电荷蓄积电路的输出端子与Vdc的电压差，在检测到电荷蓄积电路的输出端子电压比电源的正侧Vcc的电压高一定电压以上的情况下，向所述主开关N沟道MOSFET的栅极端子施加所述电荷蓄积电路的输出电压的一部分或全部。

本发明授权栅极驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种高边驱动器，所述高边驱动器是对功率半导体开关进行驱动的电路，其中，所述高边驱动器具备：主开关N沟道MOSFET，漏极端子连接于所述电路的电源的正侧Vdc，源极端子连接于OUT端子，所述OUT端子是输出对所述功率半导体开关进行驱动的信号的端子；电荷蓄积电路，从所述电路的电源的正侧Vdc注入电流来蓄积电荷；带电压检测功能的开关，检测所述电荷蓄积电路的输出端子与所述电路的电源的正侧Vdc的电压差来进行动作，所述带电压检测功能的开关在检测到所述电荷蓄积电路的输出端子电压比所述电路的电源的正侧Vdc的电压高一定电压以上的情况下，向所述主开关N沟道MOSFET的栅极端子施加所述电荷蓄积电路的输出电压的一部分或全部，使所述主开关N沟道MOSFET进行ON动作；OFF信号输入端子，输入用于使所述功率半导体开关进行OFF动作的信号；电压变换电路，连接在所述电路的电源的正侧Vdc与所述OFF信号输入端子之间，并且，对所述电路的电源的正侧Vdc与所述OFF信号输入端子之间的电压进行分压和或减去一定值来进行电压变换；逆流防止电路，设置在所述主开关N沟道MOSFET的栅极端子与栅极电荷抽出用MOSFET之间，仅沿从所述主开关N沟道MOSFET的栅极端子朝向所述栅极电荷抽出用MOSFET的方向流动电流；以及所述栅极电荷抽出用MOSFET，漏极端子连接于所述逆流防止电路，源极端子连接于所述OFF信号输入端子，栅极端子连接于输出所述电压变换电路变换后的电压的输出端子，所述栅极电荷抽出用MOSFET的所述漏极端子经由所述逆流防止电路连接于所述主开关N沟道MOSFET的栅极端子，向所述OFF信号输入端子输入用于使所述功率半导体开关进行OFF动作的信号，在所述OFF信号输入端子的电压从所述电路的电源的正侧Vdc下降的情况下，输出所述电压变换电路进行所述变换后的电压的输出端子的输出电压上升，所述电荷抽出用MOSFET进行ON动作，所述主开关N沟道MOSFET进行OFF动作。

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