恭喜中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司黄河获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司申请的专利薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114257193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010995762.5,技术领域涉及:H03H3/02;该发明授权薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器是由黄河设计研发完成,并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器在说明书摘要公布了:本发明涉及一种薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器,包括:形成具有第一牺牲层的第一衬底;依次形成第一电极、形成压电层和形成第二电极,第一电极覆盖第一牺牲层;在第一电极、第二电极至少其中之一上形成贯穿相应电极的环形沟槽;在形成有环形沟槽的相应电极上形成具有拱形桥结构的电极引出结构,拱形桥结构与环形沟槽相对;去除第一牺牲层,形成第一空腔。本发明通过电极引出结构的环形空隙所在的区域界定有效谐振区的边界,并通过环形沟槽使有效谐振区边界处相应电极的端部与空隙的气体接触,从而达到消除有效谐振区的电极的边界杂波的效果,进而提升谐振器的Q值。
本发明授权薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器在权利要求书中公布了:1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法,其特征在于,包括:形成具有第一牺牲层的第一衬底;在所述第一衬底上依次形成第一电极、形成压电层和形成第二电极,所述第一电极覆盖所述第一牺牲层;在所述第一电极、所述第二电极至少其中之一上形成贯穿相应电极的环形沟槽;在形成有所述环形沟槽的相应电极上形成具有拱形桥结构的电极引出结构,所述拱形桥结构与所述环形沟槽相对;去除所述第一牺牲层,形成第一空腔。
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