恭喜意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司N·乔拉获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司申请的专利在容错系统中以较低的Vmin操作的经标记的存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112463354B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010937360.X，技术领域涉及：G06F12/02；该发明授权在容错系统中以较低的Vmin操作的经标记的存储器是由N·乔拉;G·德索利;A·格罗弗;T·勃伊施;S·P·辛格;M·阿尤蒂亚瓦斯设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本在容错系统中以较低的Vmin操作的经标记的存储器在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及在容错系统中以较低的Vmin操作的经标记的存储器。一种存储器管理电路装置，被布置为多个存储器单元。存储器单元被配置为以确定的电压操作。耦合到多个存储器单元的存储器管理电路装置将多个存储器单元中的第一集合标记为低电压单元，并且将多个存储器单元中的第二集合标记为高电压单元。基于标记，电源将低电压提供给存储器单元中的第一集合，并且将高电压提供给存储器单元中的第二集合。
本发明授权在容错系统中以较低的Vmin操作的经标记的存储器在权利要求书中公布了：1.一种电子系统，包括：多个存储器单元，其中所述多个存储器单元被布置为与多个单元列相交的多个单元行，在操作中，所述多个存储器单元储存数据；存储器管理电路装置，耦合到所述多个存储器单元，其中在操作中，所述存储器管理电路装置将所述多个存储器单元中的第一集合标记为与第一操作模式相关联，并且将所述多个存储器单元中的第二集合标记为与第二操作模式相关联；以及电源控制电路装置，被耦合到所述存储器管理电路装置和所述多个存储器单元，其中所述电源控制电路装置在操作中基于所述标记，将第一操作电压提供给所述存储器单元的第一集合，并且将第二操作电压提供给所述存储器单元的第二集合，其中所述第一操作电压不同于所述第二操作电压，其中所述存储器单元的第一集合包括：在所述多个存储器单元的单元列中的子集；在所述多个存储器单元的单元行中的子集；或在所述多个存储器单元的单元列中的子集以及在所述多个存储器单元的单元行中的子集二者。
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