恭喜苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州晶湛半导体有限公司申请的专利一种晶片承载盘获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096939B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103959.1，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权一种晶片承载盘是由程凯;张丽旸设计研发完成，并于2020-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶片承载盘在说明书摘要公布了：一种晶片承载盘10，晶片承载盘10的凹槽底部以经过凹槽中心O的第一分界线L1将凹槽底部分为靠近所述晶片承载盘中心C的第一区域S1和远离晶片承载盘中心C的第二区域S2，凹槽底部包括凹槽底面以及形成在凹槽底面上的凸出结构210，凸出结构210的表面为曲面，曲面顶点H位于凹槽底部的所述第二区域S2，位于第二区域S2的凸出结构的平均高度高于位于第一区域的所述凸出结构的平均高度。晶片承载盘10凹槽底部的设计结构能较好匹配III‑V族氮化物晶片有源区外延过程中的翘曲，使温场分布更均匀，从而提升提高发光外延片的波长均匀性。
本发明授权一种晶片承载盘在权利要求书中公布了：1.一种晶片承载盘，包括至少一个凹槽，其特征在于，所述凹槽包括：凹槽底部，所述凹槽底部以经过所述凹槽的中心的第一分界线将所述凹槽底部分为靠近所述晶片承载盘的中心的第一区域和远离所述晶片承载盘的中心的第二区域，所述凹槽底部包括凹槽底面以及形成在所述凹槽底面上的凸出结构，所述凸出结构的边缘最接近所述晶片承载盘的中心的点为第一边缘点，所述凸出结构的边缘最远离所述晶片承载盘的中心的点为第二边缘点；其中，所述凸出结构的表面为曲面，所述曲面具有一个顶点，所述顶点在水平面上的投影位于所述凹槽底部的所述第二区域，位于所述第二区域的所述凸出结构的平均高度高于位于所述第一区域的所述凸出结构的平均高度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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