恭喜华邦电子股份有限公司颜英竹获国家专利权
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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利半导体存储器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010639238.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器结构及其形成方法是由颜英竹设计研发完成，并于2020-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体存储器结构及其形成方法，包括：形成隔离结构包围主动区于基板之中；形成第一沟槽以分隔主动区为第一主动区及第二主动区；形成位线于第一沟槽的底部；形成字线以包围第一主动区及第二主动区，且位于位线之上；自对准形成接点于第一主动区及第二主动区的顶部；以及形成电容于接点之上。通过以埋藏式位线分隔主动区，可降低字线之间的漏电流。
本发明授权半导体存储器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：形成一隔离结构包围一主动区于一基板之中；形成一第一沟槽以分隔所述主动区为一第一主动区及一第二主动区；形成一位线于该第一沟槽的一底部；形成一字线以包围所述第一主动区及所述第二主动区，且位于位线之上；自对准形成一接点于所述第一主动区及所述第二主动区之上；以及形成一电容于所述接点之上；其中，所述位线，位于所述第一主动区及所述第二主动区之间的所述隔离结构之下；所述字线，包围所述第一主动区及所述第二主动区，且位于所述位线之上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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