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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582006B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010574057.8，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权非易失性存储器装置是由崔容赫;南尚完;柳载悳;朴相元;任琫淳设计研发完成，并于2020-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括第一半导体层、第二半导体层和控制电路。存储器单元阵列包括在第一上基底上的第一垂直结构和在第二上基底上的第二垂直结构，第一垂直结构包括第一子块，第二垂直结构包括第二子块。第二半导体层包括包含地址解码器和页缓冲器电路的下基底。第一垂直结构包括设置有一个或多个通孔的第一过孔区域，通孔穿过第一垂直结构。第一子块被布置在第一过孔区域之间，第二子块被布置在第二过孔区域之间。控制电路基于存储器块是否靠近第一过孔区域将存储器块分组为多个组，并且执行地址重映射。

本发明授权非易失性存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：下基底，具有在下基底中的地址解码器和页缓冲器电路；第一上基底和第二上基底，位于下基底上；存储器单元阵列，包括：第一垂直结构，位于第一上基底上，第一垂直结构具有在第一垂直结构中的多个第一存储器子块以及穿过第一垂直结构延伸的第一多个通孔；以及第二垂直结构，位于第二上基底上，第二垂直结构具有在第二垂直结构中的多个第二存储器子块以及穿过第二垂直结构延伸的第二多个通孔；以及控制电路，被配置为根据所述多个第一存储器子块与第一多个通孔的靠近度将所述多个第一存储器子块分组为存储器子块的多个组，并且通过利用所述多个第一存储器子块中的无缺陷的第一存储器子块替换所述多个第一存储器子块中的有缺陷的第一存储器子块来执行地址重映射，控制电路服从以下约束：所述多个第一存储器子块中的无缺陷的第一存储器子块基于其与所述多个第一存储器子块中的有缺陷的第一存储器子块包含在存储器子块的同一组中而被选择为替换物。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。