恭喜台湾积体电路制造股份有限公司蔡俊雄获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有减少陷阱缺陷的半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010488112.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权具有减少陷阱缺陷的半导体装置及其形成方法是由蔡俊雄;游国丰;林佑明;幸仁·万设计研发完成，并于2020-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有减少陷阱缺陷的半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及具有减少陷阱缺陷的半导体装置及其形成方法。一种制造半导体装置的方法包含：提供包括表面的衬底；将第一介电层及第二介电层沉积于所述衬底上；使虚拟栅极电极形成于所述第二介电层上；形成包围所述虚拟栅极电极的栅极间隔物；使轻度掺杂源极漏极LDD区域形成于所述衬底中的所述栅极间隔物的两侧上；使源极漏极区域形成于所述各自LDD区域中；移除所述虚拟栅极电极以形成替换栅极；使层间介电ILD层形成于所述替换栅极及所述源极漏极区域上；及通过在形成所述源极漏极区域之前或在形成所述ILD层之后的时间将陷阱修复元素引入至所述栅极间隔物、所述第二介电层、所述表面及所述LDD区域的至少一者中来执行处理。
本发明授权具有减少陷阱缺陷的半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，其包括：提供包括表面的衬底；将第一介电层及第二介电层沉积于所述衬底上；使虚拟栅极电极形成于所述第二介电层上；形成包围所述虚拟栅极电极的栅极间隔物；使轻度掺杂源极漏极LDD区域形成于所述衬底中的所述栅极间隔物的两侧上；使源极漏极区域形成于所述各自LDD区域中；移除所述虚拟栅极电极以形成替换栅极；使层间介电ILD层形成于所述替换栅极及所述源极漏极区域上；通过在形成所述ILD层之后将陷阱修复元素引入至所述栅极间隔物、所述第二介电层、所述表面及所述LDD区域的至少一者中来执行处理；及在将所述陷阱修复元素引入至所述LDD区域之后，将介电层沉积于所述虚拟栅极及所述LDD区域上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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