恭喜广东致能半导体有限公司黎子兰获国家专利权
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龙图腾网恭喜广东致能半导体有限公司申请的专利一种空穴沟道半导体晶体管、制造方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111816702B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010288958.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种空穴沟道半导体晶体管、制造方法及其应用是由黎子兰设计研发完成，并于2020-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种空穴沟道半导体晶体管、制造方法及其应用在说明书摘要公布了：本公开内容提供一种非平面空穴沟道晶体管及其制作方法，所述非平面空穴沟道晶体管具有一基片，所述基片表面具有包括垂直表面的台阶结构，以所述垂直表面为核心，侧向外延生长非平面沟道层，在所述沟道层上形成势垒层，从而同时在所述势垒层和所述沟道层的界面处形成二维空穴气和或二维电子气。本公开内容提供具有工艺简单、成本低廉、在单位面积上实现更高的沟道密度，具有高耐受电压、高功率和低导通电阻等高性能、安全、节能的常闭型空穴沟道III族氮化物晶体管。
本发明授权一种空穴沟道半导体晶体管、制造方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种非平面空穴沟道半导体晶体管的制造方法，包括：提供一基片，在其上表面刻蚀出台阶状结构，所述台阶状结构具有大致平行的第一表面和第二表面，以及分别连接第一表面和第二表面的垂直表面，且所述垂直表面的晶格具有六角对称性；从所述垂直表面处为核心，受所述第二表面的限制，垂直所述第二表面侧向外延生长非平面沟道层；在所述沟道层上形成势垒层，从而同时在所述势垒层和所述沟道层的界面处形成二维空穴气及不可移动的背景负电荷；和或二维电子气及不可移动的背景正电荷；其中，还包括形成晶体管的源极、漏极和栅极；所述漏极、所述栅极和所述源极在大致垂直所述基片的第一表面的方向上依序设置，所述源极和所述漏极的位置能互换。
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