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龙图腾网恭喜杭州思泰微电子有限公司申请的专利一种H桥短路保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110943439B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911412986.2，技术领域涉及：H02H7/20；该发明授权一种H桥短路保护电路是由张南阳;蒋赛尖;马辉设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种H桥短路保护电路在说明书摘要公布了：本发明涉及模拟集成电路领域，具体为一种H桥短路保护电路，其能够让H桥没有短路电流流过，保护PMOS管，其包括比较器COMP1和比较器COMP，比较器COMP1的输入端连接电阻R0一端、PMOS管PM2的漏端，PM2的源端连接VDD和PMOS管PM0的源端，PMOS管PM2的栅端和PMOS管PM0的栅端相连，PMOS管PM0的漏端连接NMOS管NM0的漏端、NMOS管NM2的漏端、电阻R0另一端，NMOS管NM2的栅端和NMOS管NM0的栅端相连，NMOS管NM0的源端连接电阻R1一端并接地，电阻R1另一端连接NMOS管NM2的源端和比较器COMP的输入端，比较器COMP1的输出端与比较器COMP的输出端连接或门的输出端，或门的输出端为OUT端口，其特征在于，比较器COMP1包括PMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3。

本发明授权一种H桥短路保护电路在权利要求书中公布了：1.一种H桥短路保护电路，其包括比较器COMP1和比较器COMP，所述比较器COMP1的输入端连接电阻R0一端、PMOS管PM2的漏端，所述PM2的源端连接VDD和PMOS管PM0的源端，所述PMOS管PM2的栅端和所述PMOS管PM0的栅端相连，所述PMOS管PM0的漏端连接NMOS管NM0的漏端、NMOS管NM2的漏端、所述电阻R0另一端，所述NMOS管NM2的栅端和所述NMOS管NM0的栅端相连，所述NMOS管NM0的源端连接电阻R1一端并接地，所述电阻R1另一端连接所述NMOS管NM2的源端和所述比较器COMP的反相输入端，所述比较器COMP1的输出端与所述比较器COMP的输出端连接或门的输出端，所述或门的输出端为OUT端口，其特征在于，所述比较器COMP1包括PMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3，所述PMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3的栅端分别为所述比较器COMP1的IN1N输入端、IN1P输入端、IN2N输入端、IN2P输入端，所述比较器COMP1的IN1N输入端和IN1P输入端输入所述电阻R0两端的电压，所述比较器COMP1的IN2N输入端和IN2P输入端输入参考电压，所述PMOS管PM10的源端与所述PMOS管PM1的源端相连后连接PMOS管PM4的漏端，所述PMOS管PM9的源端与所述PMOS管PM3的源端相连后连接PMOS管PM5的漏端，所述PMOS管PM1的漏端与所述PMOS管PM9的漏端相连后连接PMOS管PM7的漏端、NMOS管NM1的漏端、NMOS管NM4的栅端，所述PMOS管PM10的漏端与所述PMOS管PM3的漏端相连后连接PMOS管PM6的漏端、NMOS管NM3的漏端和栅端、所述NMOS管NM1的栅端，所述NMOS管NM3的源端、NMOS管NM1的源端、NMOS管NM4的源端均接地，所述NMOS管NM4的漏端连接PMOS管PM8的漏端并为所述比较器COMP1的输出端，所述PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6、PMOS管PM7、PMOS管PM8的栅端相连，所述PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6、PMOS管PM7、PMOS管PM8的源端相连后连接VDD。

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