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龙图腾网恭喜迈络思科技有限公司;苏黎世联邦理工学院;塞萨洛尼基亚里士多德大学申请的专利光电装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114365039B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980097294.5，技术领域涉及：G02F1/225；该发明授权光电装置及其制造方法是由克劳迪亚·霍斯巴赫;于尔格·莱乌托尔德;埃拉德·门托维奇;帕拉斯科瓦斯·巴科普洛斯;迪米特里奥斯·卡拉沃齐奥蒂斯;迪米特里奥斯·西奥科斯设计研发完成，并于2019-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种光电子装置（20）包括薄膜结构（56），所述薄膜结构（56）设置在半导体衬底（54）上并且被图案化，以便限定集成驱动电路的部件，所述集成驱动电路被配置为生成驱动信号。交替的金属层（44，46）和介电层（50）的后端线（BEOL）堆叠（42）设置在所述薄膜结构上方。所述金属层包括调制器层（48），所述调制器层（48）包含等离子体激元波导（36，99，105）和多个电极（30，32，34，96，98，106），所述多个电极（30，32，34，96，98，106）响应于所述驱动信号而对所述等离子体激元波导中传播的表面等离子体激元极化子（SPP）施加调制。多个互连层被图案化以将所述薄膜结构耦合到所述电极。光输入耦合器（38，82）被配置为将光耦合到所述调制器层中，由此通过所述SPP的所述调制来调制所述光，并且光输出耦合器（38，82）被配置为将所述调制光耦合出所述调制器层。

本发明授权光电装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电装置，包括：半导体衬底；薄膜结构，所述薄膜结构设置在所述衬底上并且被图案化以限定集成驱动电路的部件，所述集成驱动电路被配置为生成驱动信号；交替的金属层和介电层的后端线堆叠，其设置在所述薄膜结构上方，所述金属层包括：调制器层，所述调制器层是所述后端线堆叠的最终外层，所述调制器层包含等离子体激元波导，并且被图案化以限定多个电极，所述多个电极被配置为响应于施加到所述电极的所述驱动信号而对所述等离子体激元波导中传播的表面等离子体激元极化子施加调制；以及多个互连层，所述多个互连层被图案化以限定电迹线，所述电迹线通过通孔连接到所述衬底上的所述薄膜结构和所述调制器层中的所述电极，以便互连所述集成驱动电路的所述部件并且将由此生成的所述驱动信号施加到所述电极；光输入耦合器，所述光输入耦合器被配置为将光耦合到所述调制器层中，由此通过所述表面等离子体激元极化子的所述调制来调制所述光；以及光输出耦合器，所述光输出耦合器被配置为将调制光耦合出所述调制器层。

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