恭喜英飞凌科技奥地利有限公司G.库拉托拉获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利具有深载流子气接触结构的高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110233103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910167378.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权具有深载流子气接触结构的高电子迁移率晶体管是由G.库拉托拉;O.赫伯伦设计研发完成，并于2019-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有深载流子气接触结构的高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：一种形成半导体器件的方法，其包括提供异质结半导体本体。该异质结半导体本体包括III‑V型半导体背势垒区，形成在该背势垒区上的III‑V型半导体沟道层，以及形成在该背势垒区上的III‑V型半导体势垒层。第一二维载流子气位于沟道与势垒层之间的界面处。第二二维载流子气被布置在第一二维载流子气下方。形成在异质结半导体本体中的深接触结构，该深接触结构延伸穿过沟道层并且与第二二维载流子气形成界面。第一半导体区包括第一接触材料，该第一接触材料在与第二二维载流子气的界面处为第二二维载流子气的多数载子提供导电路径。
本发明授权具有深载流子气接触结构的高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供异质结半导体本体，所述异质结半导体本体包括：III-V型半导体背势垒区；III-V型半导体沟道层，其形成在所述背势垒区上并且具有与所述背势垒区不同的带隙；III-V型半导体势垒层，其形成在所述沟道层上并且具有与所述沟道层不同的带隙；第一二维载流子气，其形成在沟道与势垒层之间的界面处；以及第二二维载流子气，其被布置在所述第一二维载流子气下方；在所述异质结半导体本体中形成深接触结构，所述深接触结构延伸穿过所述沟道层，并且包括第一接触材料，所述第一接触材料与所述第二二维载流子气形成直接界面，其中所述第一接触材料为所述第二二维载流子气的多数载子提供导电路径，以穿过第一接触材料与所述第二二维载流子气之间的直接界面。
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