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龙图腾网恭喜忻州中科晶电信息材料有限公司申请的专利一种掺杂镉元素的砷化镓晶片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764162B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510245601.7，技术领域涉及：H01L21/223；该发明授权一种掺杂镉元素的砷化镓晶片及其制备方法是由柴晓磊;王鼎;樊海强;高佑君;赵雪设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掺杂镉元素的砷化镓晶片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种掺杂镉元素的砷化镓晶片及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：清洗砷化镓晶片、安装架和扩散容器；将砷化镓晶片装于安装架上，将砷和镉分别装入扩散容器内顶部两装料槽，将安装架置于扩散容器内；在抽真空后将扩散容器装入真空扩散炉烘烤；调控真空扩散炉内温度，使镉元素扩散掺杂入砷化镓晶片；完成掺杂后，对扩散容器进行冷却；将砷化镓晶片取出清洗；将砷化镓晶片减薄至目标厚度。本发明通过在真空扩散炉中，将镉元素扩散至砷化镓晶片内，镉元素挤占镓位，提供空穴，使砷化镓转变为P型半导体，有效提高晶片载流子浓度，晶片电性能头尾偏差小，有效避免分凝现象造成的头尾电性能偏差过大的情况。

本发明授权一种掺杂镉元素的砷化镓晶片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种掺杂镉元素的砷化镓晶片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：前处理，对砷化镓晶片（1）、用于安装砷化镓晶片（1）的安装架（2）和用于放置安装架（2）并对安装架（2）起到密封作用的扩散容器（3）进行清洗；步骤2：装料，将清洗后的砷化镓晶片（1）装于安装架（2）上，将砷和镉分别装入至扩散容器（3）内顶部设置的两个装料槽（301）内，将安装架（2）置于扩散容器（3）内，并使得装料槽（301）高于安装架（2）；步骤3：掺杂，将密封的扩散容器（3）放入真空扩散炉（4），调控真空扩散炉（4）内温度，使单质镉扩散掺杂入砷化镓晶片（1）；步骤4：冷却，在完成掺杂后，对扩散容器（3）进行降温，当真空扩散炉（4）内降温至100℃以下后，取出扩散容器（3）进行冷却；步骤5：后处理，将掺杂镉元素的砷化镓晶片（1）从扩散容器（3）中取出，并进行清洗；步骤6：加工，将掺杂镉元素的砷化镓晶片（1）减薄至目标厚度。

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