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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种InGaN基宽光谱探测器及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510229096.7，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种InGaN基宽光谱探测器及其制备方法与应用是由李炳泽;张曙光设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种InGaN基宽光谱探测器及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种InGaN基宽光谱探测器及其制备方法与应用。所述InGaN基宽光谱探测器从下至上依次包括背电极层、Si衬底层、GaNInGaNInNIn2X3核壳结构纳米柱层和表电极层；所述GaNInGaNInNIn2X3核壳结构纳米柱层包括GaNInGaNInN纳米柱阵列和In2X3化合物，In2X3化合物包裹在GaNInGaNInN纳米柱的表面；GaNInGaNInN纳米柱自下而上依次是GaN纳米柱、InGaN纳米柱和InN纳米柱；In2X3化合物中X元素为硫、硒、碲元素的一种或多种。本发明的InGaN基宽光谱探测器具有低的暗电流和更高、更宽的光谱响应。

本发明授权一种InGaN基宽光谱探测器及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种InGaN基宽光谱探测器，其特征在于，从下至上依次包括背电极层、Si衬底层、GaNInGaNInNIn2X3核壳结构纳米柱层和表电极层，所述探测器的光谱响应范围为300纳米~1200纳米；所述GaNInGaNInNIn2X3核壳结构纳米柱层包括GaNInGaNInN纳米柱阵列和In2X3化合物，In2X3化合物包裹在GaNInGaNInN纳米柱的表面；所述GaNInGaNInN纳米柱自下而上依次是GaN纳米柱、InGaN纳米柱和InN纳米柱，通过分子束外延法在Si衬底层上依次生长GaN纳米柱、InGaN纳米柱、InN纳米柱得到；所述GaNInGaNInN纳米柱在Si衬底层上直立排布；所述GaNInGaNInNIn2X3核壳结构纳米柱层完全覆盖Si衬底层；所述表电极层仅与In2X3化合物接触，与GaNInGaNInN纳米柱不接触；所述InGaN纳米柱中In组分的原子含量为10%~80%；所述In2X3化合物中X元素为硫、硒、碲元素的一种或多种；所述GaNInGaNInNIn2X3核壳结构纳米柱层通过GaNInGaNInN纳米柱阵列以X的单质粉末为前驱体，在氮气气氛中退火得到。

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