恭喜中国科学院长春光学精密机械与物理研究所张建伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利Z型腔面发射半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119695633B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510206700.4，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权Z型腔面发射半导体激光器是由张建伟;徐玥辉;刘天娇;周寅利;陈超;张卓;宁永强;王立军设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本Z型腔面发射半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种Z型腔面发射半导体激光器，包括至少两个倾斜式衬底，在每个倾斜式衬底上设置有倾斜式外延结构，相邻的两个倾斜式外延结构的倾斜方向相反，相邻的两个倾斜式外延结构形成Z型谐振腔，在相邻的两个倾斜式外延结构之间设置有间隔层，在所有倾斜式外延结构的侧面共同设置有反射涂层，在位于顶端的倾斜式外延结构的顶面分别设置有反射结构和P型电极，在P型电极覆盖在倾斜式外延结构的表面以及反射结构的非反射面，在位于底端的倾斜式衬底的底面设置有N型电极。本发明能够压窄激光器的线宽和提升输出功率。
本发明授权Z型腔面发射半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种Z型腔面发射半导体激光器，其特征在于，包括至少两个倾斜式衬底，在每个倾斜式衬底上设置有倾斜式外延结构，相邻的两个倾斜式外延结构的倾斜方向相反，相邻的两个倾斜式外延结构形成Z型谐振腔，在相邻的两个倾斜式外延结构之间设置有间隔层，在所有倾斜式外延结构的侧面共同设置有反射涂层，在位于顶端的倾斜式外延结构的顶面分别设置有反射结构和P型电极，P型电极覆盖在倾斜式外延结构的表面以及反射结构的非反射面，在位于底端的倾斜式衬底的底面设置有N型电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，其通讯地址为：130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号