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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体测试结构及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119695031B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510192078.6，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种半导体测试结构及测试方法是由李宁;冯玲;左宏业;闻磊;余仁设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体测试结构及测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体测试结构及测试方法，半导体测试结构包括衬底，其上形成有掺杂区，掺杂区的底部连续；至少两个金属氧化物场效应管；接触区，形成于掺杂区上；导通电压端，电连接于栅极，用于施加导通电压，以导通金属氧化物场效应管；测试电压端，电连接于第一重掺杂区和或第二重掺杂区，用于施加扫描电压；以及电流量测端，电连接于接触区；其中，测试电压端、金属氧化物场效应管、源漏区、掺杂区、接触区、电流量测端形成量测回路。通过本发明提供的一种半导体测试结构及测试方法，能够对Poly间距较小的源极和漏极区域的反偏结漏电进行量测。

本发明授权一种半导体测试结构及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：衬底，其上形成有掺杂区，所述掺杂区的底部连续；至少两个金属氧化物场效应管，所述金属氧化物场效应管包括栅极、第一轻掺杂漏极、第二轻掺杂漏极、第一重掺杂区、第二重掺杂区，所述栅极形成于掺杂区上，所述栅极的一侧依次形成有所述第一轻掺杂漏极、所述第一重掺杂区，所述栅极的另一侧依次形成有所述第二轻掺杂漏极、所述第二重掺杂区，相邻两个所述金属氧化物场效应管的第二重掺杂区与第一重掺杂区相连形成源漏区；接触区，形成于所述掺杂区上；导通电压端，电连接于所述栅极，用于施加导通电压，以导通所述金属氧化物场效应管；测试电压端，电连接于所述第一重掺杂区和或所述第二重掺杂区，用于施加扫描电压；以及电流量测端，电连接于所述接触区；其中，所述测试电压端、所述金属氧化物场效应管、所述源漏区、所述掺杂区、所述接触区、所述电流量测端形成量测回路；所述测试电压端和或所述电流量测端用于量测所述量测回路中的漏电流；在所述量测回路中的漏电流的电流值大于预设漏电电流值时，所述源漏区出现反偏结漏电。

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