买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利基于动态电场修复碳化硅MOS管阈值漂移的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730330B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510183321.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权基于动态电场修复碳化硅MOS管阈值漂移的方法及系统是由刘平;唐明斌;彭英舟;刘欣;李贺龙设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于动态电场修复碳化硅MOS管阈值漂移的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于动态电场修复碳化硅MOS管阈值漂移的方法及系统，方法包括：实时监测SiCMOSFET的阈值电压；判断阈值电压是否发生漂移，若发生漂移，则启动动态电场修复操作：连接可调节电压输出的电源至SiCMOSFET的栅极，同时构建控制电路来精确控制电源输出电压的时序和幅值；根据阈值电压的漂移量，调整动态电场的参数，包括电场强度、频率和作用时间，直到阈值电压未发生漂移。本发明解决了碳化硅MOSFET容易产生阈值漂移、缺乏稳定性而影响器件性能、可靠性、寿命的问题，实现对器件的动态老化和劣化提供实时的修复。

本发明授权基于动态电场修复碳化硅MOS管阈值漂移的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于动态电场修复碳化硅MOS管阈值漂移的方法，其特征在于，包括：S1、实时监测SiCMOSFET的阈值电压；S2、判断阈值电压是否发生漂移，若是，则进入步骤S3，否则，返回步骤S1；S3、启动动态电场修复操作：连接可调节电压输出的电源至SiCMOSFET的栅极，同时构建控制电路，以便控制所述电源的输出电压的时序和幅值；S4、根据所述阈值电压的漂移量ΔVth，调整动态电场的参数，包括电场强度、频率和作用时间，直到阈值电压未发生漂移；若阈值电压的漂移量ΔVth超过设定阈值，表明当前电场强度对陷阱电荷密度的调整不足，依据下式增大电场强度Es： ;若发现载流子与陷阱相互作用效果不佳，依据下式调整频率f： ;根据下式以及实际的阈值电压稳定时间情况，调整作用时间t： ；其中，为陷阱电荷密度的变化率，k1为与材料特性和陷阱性质有关的比例常数，k2为与氧化层结构和载流子散射机制等有关的系数，xeff为载流子在氧化层中的有效运动范围，μ为载流子迁移率，Vth0是初始阈值电压，Vth∞是经过足够长时间后稳定的阈值电压，是时间常数，所述实际的阈值电压稳定时间情况根据以下方法确定：定义阈值电压稳定度ΔVstab，当|Vtht-Vth∞|≤ΔVstab时，认为阈值电压已经稳定，此时的作用时间t就是有效的修复时间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南大学，其通讯地址为：410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。