恭喜清华大学田禾获国家专利权
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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利一种具有亚1纳米×亚1纳米电极的忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119654061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510163405.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种具有亚1纳米×亚1纳米电极的忆阻器及其制备方法是由田禾;刘晏铭设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有亚1纳米×亚1纳米电极的忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有亚1纳米×亚1纳米电极的忆阻器及其制备方法，涉及忆阻器技术领域，忆阻器包括：衬底、衬底绝缘层、低介电常数绝缘层、亚1纳米电极、高介电常数绝缘层和接触电极；衬底绝缘层，设置于所述衬底之上；低介电常数绝缘层，设置于所述衬底绝缘层之上；所述亚1纳米电极，设置于所述低介电常数绝缘层之上，由单层或少层二维材料构成，其中，所述亚1纳米电极的宽度由所述二维材料的侧沿确定；所述高介电常数绝缘层，设置于所述电极之上，作为所述忆阻器的介质层；所述接触电极，设置于所述二维材料之上，用于连接所述二维材料。通过本发明提供的忆阻器，完成了亚1纳米×亚1纳米忆阻器的指标，有助于推动超小尺寸忆阻器的集成化。
本发明授权一种具有亚1纳米×亚1纳米电极的忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有亚1纳米×亚1纳米电极的忆阻器，其特征在于，包括：衬底、衬底绝缘层、低介电常数绝缘层、亚1纳米电极、高介电常数绝缘层和接触电极；所述衬底绝缘层，设置于所述衬底之上；所述低介电常数绝缘层，设置于所述衬底绝缘层之上；所述亚1纳米电极，设置于所述低介电常数绝缘层之上，由单层或少层二维材料构成，其中，所述亚1纳米电极的宽度由所述二维材料的侧沿确定；所述高介电常数绝缘层，设置于所述电极之上，作为所述忆阻器的介质层；所述接触电极，设置于所述二维材料之上，用于连接所述二维材料；所述忆阻器的叉指结构由亚1纳米电极和所述高介电常数绝缘层交替堆叠并相互交叉形成，所述叉指结构的交叉区域面积为亚1纳米2。
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