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龙图腾网恭喜成都电科星拓科技有限公司申请的专利一种防倒灌ESD保护电路与系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119582137B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510131534.6，技术领域涉及：H02H11/00；该发明授权一种防倒灌ESD保护电路与系统是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种防倒灌ESD保护电路与系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种防倒灌ESD保护电路与系统，涉及ESD保护技术领域。该防倒灌ESD保护电路包括多个MOS管与多个电阻，多个MOS管并联，每个MOS的源极与漏极均与一个电阻连接，且相邻两个MOS管的源极或漏极共用同一电阻；其中，多个MOS管之间共用源极与漏极。本申请提供的防倒灌ESD保护电路与系统具有在满足ESD需求的情况下，减少了版图占用面积的优点。

本发明授权一种防倒灌ESD保护电路与系统在权利要求书中公布了：1.一种防倒灌ESD保护电路，其特征在于，所述防倒灌ESD保护电路包括多个MOS管与多个电阻，多个MOS管并联，每个MOS的源极与漏极均与一个电阻连接，且相邻两个MOS管的源极或漏极共用同一电阻；其中，多个MOS管之间共用源极与漏极；当每个所述MOS管的叉指数均相同时，所述多个电阻中包括N-1个第一电阻与2个第二电阻，第二电阻的阻值等于第一电阻的阻值的两倍，N为MOS管的数量；其中，相邻两个MOS管的源极或漏极共用一个第一电阻，且第一个MOS管与最后一个MOS管的源极或漏极与所述第二电阻连接；当所述MOS管的数量为奇数时，所述第一个MOS管的源极与所述第二电阻连接，并通过所述第二电阻连接至第一端口；所述最后一个MOS管的漏极与所述第二电阻连接，并通过所述第二电阻连接至第二端口；其余MOS管的源极均通过所述第一电阻连接至第一端口，漏极均通过所述第一电阻连接至所述第二端口。

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