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龙图腾网恭喜武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种波长可调谐电吸收调制激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581994B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510119479.9，技术领域涉及：H01S5/06；该发明授权一种波长可调谐电吸收调制激光器及其制备方法是由姚广峰;付文锋设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种波长可调谐电吸收调制激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种波长可调谐电吸收调制激光器及其制备方法，该激光器包括：衬底以及依次排列在衬底上的位于同一平面的第一调制器区、第一增益区、光栅区、第二增益区和第二调制器区；第一调制器区和第二调制器区的构成材料中均掺杂有磷离子；第一增益区和第二增益区用于在不同直流电作用下激发多种波长的激光；光栅区用于对所述多种波长进行选模；第一调制器区和第二调制器区作为出光端发射可调谐激光，实现双端激光发射。本发明通过背靠背对两个电吸收调制器和波长可调谐激光器进行集成，共用波长调谐区，实现带宽翻倍。通过一次有源材料和一次无源材料的外延生长，实现三种禁带宽度材料的集成，简化了制作工艺并提高了器件性能。

本发明授权一种波长可调谐电吸收调制激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种波长可调谐电吸收调制激光器，其特征在于，包括：衬底（11）以及依次排列在衬底（11）上的位于同一平面的第一调制器区（1）、第一增益区（2）、光栅区（3）、第二增益区（4）和第二调制器区（5）；所述第一调制器区（1）和第二调制器区（5）的构成材料中均掺杂有磷离子；所述第一增益区（2）和第二增益区（4）用于在不同直流电作用下激发多种波长的激光；所述光栅区（3）用于对所述多种波长进行选模，输出单一波长激光；所述第一调制器区（1）和第二调制器区（5）用于在反向电压作用下使禁带宽度变窄，并作为出光端发射可调谐激光；所述第一调制器区（1）、第一增益区（2）和光栅区（3）组成第一激光调谐器；第二调制器区（5）、第二增益区（4）和光栅区（3）组成第二激光调谐器；所述第一激光调谐器和第二激光调谐器实现双端激光发射。

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