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龙图腾网恭喜广东工业大学申请的专利一种通过外延生长制备异质结构的方法及其产品与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521840B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510089099.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种通过外延生长制备异质结构的方法及其产品与应用是由郑照强;全华文;蒲作城;招瑜设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通过外延生长制备异质结构的方法及其产品与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种通过外延生长制备异质结构的方法及其产品与应用，属于二维材料光电探测器技术领域。本发明采用原位生长技术在二维WS21‑xWSe2x合金纳米片上外延生长二维In2S3纳米片，获得具有超洁净异质界面的WS21‑xWSe2xIn2S3异质结构，再利用外延生长的具有超洁净异质界面的WS21‑xWSe2xIn2S3异质结构，构造高性能的WS21‑xWSe2xIn2S3光电探测器，经实验测得其光开关比高达1.19×105。

本发明授权一种通过外延生长制备异质结构的方法及其产品与应用在权利要求书中公布了：1.一种通过外延生长制备异质结构的方法，其特征在于，所述异质结构为WS21-xWSe2xIn2S3异质结构，所述通过外延生长制备异质结构的方法包括以下步骤：以In2S3粉末作为反应物，以S粉作为补充物，以惰性气体作为载气，以二维WS21-xWSe2x合金纳米片作为承载物，通过双向气流的物理气相沉积在所述二维WS21-xWSe2x合金纳米片表面外延生长二维In2S3纳米片，得到所述WS21-xWSe2xIn2S3异质结构；所述双向气流的物理气相沉积步骤包括：利用流速为120~150sccm的惰性气体排出空气，气流方向为承载物流向反应物，然后流速调整为100sccm，并升温至90~930℃后，调整气流方向为反应物流向承载物，保温10~15min；所述承载物和所述In2S3粉末的距离为10cm；所述承载物与所述S粉的距离为19~20cm；所述二维WS21-xWSe2x合金纳米片通过双向气流的物理气相沉积制备，步骤包括：将WS2和WSe2混合后作为反应物，以惰性气体作为载气，以SiO2Si衬底作为承载物，通过双向气流的物理气相沉积在所述承载物表面制备二维WS21-xWSe2x合金纳米片。

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