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龙图腾网恭喜英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510059677.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由蔡静瑶;余仁旭设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底；位于衬底一侧的沟道层和势垒层；位于势垒层远离衬底一侧的第一掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层；第一掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层包括第一通槽和第二通槽；位于第一掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层远离衬底一侧的刻蚀阻挡层和第二掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层；第一通槽和第二通槽分别位于刻蚀阻挡层以及第二掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层的两侧；位于第一通槽远离第二掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层一侧的源极；位于第二通槽远离第二掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层一侧的漏极；位于第二掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层远离衬底一侧的栅极。本发明可以有效减小刻蚀过程中导致的势垒层损伤，且可接近零损伤。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的沟道层和势垒层；位于所述势垒层远离所述衬底一侧的第一掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层；所述第一掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层包括第一通槽和第二通槽；所述第一掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层还设置有第一开口和第二开口；位于所述第一掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层远离所述衬底一侧的刻蚀阻挡层和第二掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层；所述第一通槽和所述第二通槽分别位于所述刻蚀阻挡层以及所述第二掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层的两侧；位于所述第一通槽远离所述第二掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层一侧的源极；所述源极的部分位于所述第一开口与所述势垒层连接；位于所述第二通槽远离所述第二掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层一侧的漏极；所述漏极的部分位于所述第二开口与所述势垒层连接；位于所述第二掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层远离所述衬底一侧的栅极；所述第一掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层和所述第二掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层均为P型氮化镓层；所述刻蚀阻挡层为AlxGa1-xN层，其中，0.1≤x≤1；所述第二掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层的厚度大于所述刻蚀阻挡层的厚度，所述刻蚀阻挡层的厚度大于所述第一掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层的厚度；在形成半导体器件的过程中，先对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀时，所述第一掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层作为刻蚀停止层；再刻蚀所述第二掺杂的III-V族半导体层两侧的部分区域，以在所述第一掺杂的III-V族半导体层形成所述第一通槽和所述第二通槽。

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