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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种浅沟槽隔离结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510053282.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种浅沟槽隔离结构的制作方法是由郝小强;陶磊设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浅沟槽隔离结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种浅沟槽隔离结构的制作方法，具体涉及半导体技术领域。所述浅沟槽隔离结构的制作方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、垫氧化层、垫氮化层和至少一个沟槽，所述垫氧化层形成于所述衬底的表面，所述垫氮化层形成于所述垫氧化层的表面，所述沟槽设置于所述衬底内，且上部贯穿所述垫氧化层、所述垫氮化层形成开口；对所述垫氮化层进行平坦化处理；于所述沟槽内形成隔离氧化层，所述隔离氧化层覆盖所述沟槽和所述垫氮化层；对所述隔离氧化层进行平坦化处理，获得所述浅沟槽隔离结构。采用本发明的浅沟槽隔离结构的制作方法可以减少沟槽隔离结构表面的刮伤，提高浅沟槽隔离结构的良品率。

本发明授权一种浅沟槽隔离结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、垫氧化层、垫氮化层和至少一个沟槽，所述垫氧化层形成于所述衬底的表面，所述垫氮化层形成于所述垫氧化层的表面，所述沟槽设置于所述衬底内，且上部贯穿所述垫氧化层、所述垫氮化层形成开口；对所述垫氮化层进行平坦化处理，所述垫氮化层平坦化处理前的厚度为平坦化处理后的厚度的2~3倍；于所述沟槽内形成隔离氧化层，所述隔离氧化层覆盖所述沟槽和所述垫氮化层；对所述隔离氧化层进行平坦化处理，直至所述沟槽内的隔离氧化层与两侧的所述垫氮化层齐平，获得所述浅沟槽隔离结构；其中，在对所述垫氮化层进行平坦化处理的过程中，用于吸附所述基底的研磨头向所述垫氮化层的边缘区域施加的压力大于向所述垫氮化层的中心施加的压力，用于对所述垫氮化层研磨的研磨垫的硬度为30~40HA。

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