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龙图腾网恭喜长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510045812.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由谢炜;罗成志设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，其中，半导体器件包括：半导体本体；半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体本体还包括阱区和第一区域；第一表面设置有栅极沟槽，栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中；位于栅极沟槽内和第一表面的栅极结构；位于栅极结构远离半导体本体一侧的第二绝缘层，第二绝缘层远离半导体本体的一面向远离半导体本体的一侧凸起；位于第一表面的源极；位于第二表面的漏极。本发明源极可以充分填充，源极与第二绝缘层之间不会存在缝隙，从而有效提高了半导体器件的性能和可靠性。

本发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体本体；所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述半导体本体还包括阱区、第一区域和第一绝缘层，所述第一区域设置于所述第一表面，所述阱区设置于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；所述第一表面设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中，所述第一绝缘层位于所述栅极沟槽的底面和侧壁；所述半导体本体和所述第一区域被设置为第一导电类型，所述阱区被设置为第二导电类型；位于所述第一绝缘层远离所述半导体本体一侧的栅极；位于所述栅极远离所述半导体本体一侧的第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一表面的垂直投影覆盖所述栅极在所述第一表面的垂直投影；所述第二绝缘层远离所述半导体本体的一面向远离所述半导体本体的一侧凸起；位于所述第一表面的源极；位于所述第二表面的漏极；所述栅极包括连接的第一栅极部和第二栅极部，所述第一栅极部位于所述栅极沟槽的底部；所述第二栅极部位于所述第一栅极部远离所述栅极沟槽的底部的一侧；所述第二栅极部远离所述第一栅极部的一面为凸起的弧面。

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