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龙图腾网恭喜光本位科技(上海)有限公司申请的专利一种光电芯片的混合封装结构、方法及其测试方法与系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119471934B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510041456.0，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种光电芯片的混合封装结构、方法及其测试方法与系统是由彭银和;江明旸;沈宣江;徐泉军;程唐盛设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电芯片的混合封装结构、方法及其测试方法与系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种光电芯片的混合封装结构、方法及其测试方法与系统。封装结构包括：第一基板；第一基板的上表面设置有强化连接层；强化连接层包括：硅转接板，硅转接板上设置有第一、第二强化层，第二强化层的上表面设置有电子芯片；第三强化层，第三强化层至少能够覆盖第一强化层所暴露的表面区域、第二强化层所暴露的表面区域以及电子芯片的侧面；第三强化层的上表面对应第一强化层的位置设置有光子芯片。本发明所提出的基于强化连接层所实现的混合封装方案能够应用于wafer级别的批量加工，由此有利于实现与电子芯片先进封装工艺的兼容和大规模量产。

本发明授权一种光电芯片的混合封装结构、方法及其测试方法与系统在权利要求书中公布了：1.一种光电芯片的混合封装结构的封装方法，其特征在于，所述光电芯片的混合封装结构包括：第一基板（10）；第一基板（10）的上表面设置有强化连接层（20）；其中，所述强化连接层（20）包括硅转接板（21），所述硅转接板（21）的上表面上设置有第一连接区和第二连接区，且所述第一连接区和所述第二连接区分别设置有多个导电引脚，且所述导电引脚通过设置于所述硅转接板（21）的第一导电柱（211）引出；所述第一连接区上设置有第一强化层（22），所述第一强化层（22）填充有第一强化材料，且所述第一强化层（22）上对应于多个所述导电引脚设置有多个第一连接位（221）；所述第二连接区上设置有第二强化层（23），所述第二强化层填充有第二强化材料，且所述第二强化层（23）上对应多个所述导电引脚设置有多个第二连接位（231）；所述第二强化层（23）的上表面设置有至少一个一类电子芯片（30），所述一类电子芯片中的导电接口通过所述第二连接位（231）与所述硅转接板（21）相连通；第三强化层（25），所述第三强化层（25）至少能够覆盖所述第一强化层（22）所暴露的表面区域、所述第二强化层（23）所暴露的表面区域以及所述一类电子芯片的侧面，所述第三强化层填充有第三强化材料；且所述第三强化层上对应于所述第一连接位（221）设置有多个第二导电柱（251）；至少一个光子芯片（40），所述光子芯片（40）上设置有多个导电接口，且所述导电接口与所述第二导电柱（251）对应连接；所述封装方法包括步骤：S101，提供硅晶圆（01），所述硅晶圆上间隔地划分有多个硅转接板；S102，在多个所述硅转接板上分别设置多个第一连接位与多个第二连接位；S103，在所述多个第一连接位的周围填充第一强化材料以形成第一强化层，在所述多个第二连接位的周围填充第二强化材料以形成第二强化层；在所述第二强化层的上表面设置一类电子芯片；S104，在所述第一强化层（22）的上表面设置第二导电柱（251）；S105，在所述第一强化层（22）、所述第二强化层以及所述一类电子芯片的周围填充第三强化材料以形成第三强化层（25），且所述第三强化层包覆所述第二导电柱，并使得所述第二导电柱的顶端通过所述第三强化层的上表面暴露出来，对应制备得的多个强化连接层；S106，对多个所述强化连接层进行切割，以得到单个所述强化连接层。

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