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龙图腾网恭喜季华实验室;深圳市奥视微科技有限公司申请的专利一种红光显示芯片及制备方法、发光电子元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411804865.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种红光显示芯片及制备方法、发光电子元件是由黄思玉;周杰明;岳大川;蔡世星;李小磊;伍德民设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种红光显示芯片及制备方法、发光电子元件在说明书摘要公布了：本申请属于显示芯片领域，具体公开了一种红光显示芯片及制备方法、发光电子元件，本申请所提供的红光显示芯片具有垂直发光结构，且经过加工的阴极金属所形成的弧形结构与后续制备的微透镜满足特定条件，并能够组成相匹配的光学系统，此外本申请还提供了使用上述红光显示芯片制成的发光电子元件。本申请通过制备垂直结构的共阴极红光显示芯片，使得阴极金属在作为发光芯片的阴极提供供电链接的同时，也发挥结构化功能，以阴极金属的圆弧形曲面使部分光线的出光路径发生反射，使得阴极金属可以配合本申请所提供的微透镜结构，实现光线的准直射出，并提高了出光效率。

本发明授权一种红光显示芯片及制备方法、发光电子元件在权利要求书中公布了：1.一种红光显示芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：准备外延片，所述外延片从下至上依次包括衬底、N-GaN层、发光区、P-GaN层；于所述外延片上依次制备ITO层和阳极金属，随后对所述阳极金属进行图案化加工，随后蚀刻形成深度直达所述N-GaN层的深槽；对所述深槽进行填充从而分隔发光区，翻转所述外延片使所述外延片与驱动芯片键合，剥离所述衬底，对所述N-GaN层进行蚀刻形成沟槽，随后于所述N-GaN层上制备阴极金属，对所述阴极金属进行加工以制备弧形结构，在所述弧形结构中制备微透镜，封装得到所述红光显示芯片；所述弧形结构为圆弧形或类圆弧形的反光杯，所述反光杯的曲面系数小于0.5；和或，所述弧形结构为圆弧形或类圆弧形的反光杯，其杯口直径大于杯底直径；所述微透镜的凸面为圆弧形，其半径为r；所述微透镜的焦距为f；所述微透镜的中心厚度为h；所述微透镜的材料在红光波长下的折射率为n；所述微透镜满足以下条件：f=r（n-1）且（14）×rh（12）×r。

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