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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利基于平面型背靠背镍硅锗肖特基结的开关器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411796355.6，技术领域涉及：H10D64/64；该发明授权基于平面型背靠背镍硅锗肖特基结的开关器件及制备方法是由张睿;杨新煌设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于平面型背靠背镍硅锗肖特基结的开关器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于平面型背靠背镍硅锗肖特基结的开关器件及制备方法。该开关器件具有一包括底层硅、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，埋氧层上的顶层硅经过减薄刻蚀处理后，内部通过退火形成两块分离的NiSi1‑xGex合金，两块NiSi1‑xGex合金与减薄后的顶层硅形成平面型背靠背肖特基结，NiSi1‑xGex合金上方设有金属接触电极。当施加电压于金属接触电极时，两背靠背肖特基结界面处势垒受到界面态影响，能带发生不同变化，此时电流由其中反向偏置结的不饱和电流控制，两边不对称的势垒高度受到硅锗组分的影响，内部没有复合电荷，接触电阻小，具有较快的反应速度，载流子在界面处与缺陷的交换现象更快，从而得到高频变化开关器件。

本发明授权基于平面型背靠背镍硅锗肖特基结的开关器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于平面型背靠背镍硅锗肖特基结的开关器件，其特征在于，所述开关器件具有一包括底层硅、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，所述埋氧层上的顶层硅经过减薄刻蚀处理后，内部通过退火形成两块分离的NiSi1-xGex合金，两块NiSi1-xGex合金与减薄后的顶层硅形成平面型背靠背肖特基结，所述NiSi1-xGex合金上方设有金属接触电极；在一个金属接触电极上施加测试电压V1，V1的范围使得开关器件能够正常工作；在另一个金属接触电极上施加测试电压V2，V2设置为V1范围的中间值；通过调整硅锗组分，控制NiSi1-xGex合金界面能带变化；对于正偏条件V1＞V2，施加正向直流偏置电压后，肖特基势垒高度降低，载流子浓度增加，开关器件开启，信号传输；对于反偏条件V1＜V2，施加反向直流偏置电压后，肖特基势垒高度增加，载流子难以正向流动，开关器件关闭，信号中断。

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