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龙图腾网恭喜深圳大学申请的专利一种钙钛矿半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212411B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411722784.9，技术领域涉及：H10K30/80；该发明授权一种钙钛矿半导体器件及其制备方法是由张振宇;汪国平设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钙钛矿半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钙钛矿半导体器件及其制备方法，该半导体器件采用透明玻璃衬底，钙钛矿半导体器件的结构自透明玻璃衬底而上依次为：第一透明导电氧化物层、钙钛矿层、量子点掺杂层、电子选择层、电子传输层、缓冲层、第二透明导电氧化物层；第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层均采用ITO；钙钛矿层采用CH3NH3PbI3，所述量子点掺杂层采用CdSe量子点进行掺杂；电子选择层采用Bi2Se3薄膜材料；本发明的钙钛矿半导体器件具有较高的短路电流和能量转换效率，量子点掺杂层和硒化铋层的引入，协同作用下提高了电池的光吸收能力和载流子传输效率，显著提升了光电转换效率。

本发明授权一种钙钛矿半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿半导体器件，所述半导体器件采用透明玻璃衬底，其特征在于，所述钙钛矿半导体器件的结构自透明玻璃衬底而上依次为：第一透明导电氧化物层、钙钛矿层、量子点掺杂层、电子选择层、电子传输层、缓冲层、第二透明导电氧化物层；所述第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层均采用ITO，所述第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层的厚度均为100-200纳米；所述钙钛矿层采用CH3NH3PbI3，所述钙钛矿层的厚度为300-800纳米；所述量子点掺杂层采用CdSe量子点进行掺杂，CdSe量子点的粒径范围为2-5纳米，厚度为5-10纳米；所述电子选择层采用Bi2Se3薄膜材料，厚度为20-50纳米；所述电子传输层为薄膜，厚度为10-20纳米；所述缓冲层为SnO2薄膜，厚度为10-20纳米；所述半导体器件还包括：在玻璃衬底表面涂覆一层厚度为50-100纳米的抗反射涂层。

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