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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利生长Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线的方法及Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118854448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411365933.0，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权生长Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线的方法及Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线是由张运炎;褚衍盟;程志渊设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本生长Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线的方法及Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种生长Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线的方法，在衬底上生长有主枝纳米线，该方法包括：将沉积新的Ⅲ族金属催化液滴附在主枝纳米线表面，驱动催化液在主枝纳米线表面从能量高的方向转移到更低表面能的方向，通过控制生长环境，使得分枝纳米线沿着能量更低的方向生长。还提供一种Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线，由上述的生长Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线的方法得到。可以在不引入应力和缺陷的技术上可以获得分枝纳米线，这不仅解决的了分枝纳米线生长过程中引入缺陷导致的载流子损失的问题，还可以通过控制生长条件精确控制次级纳米线生长的位置、密度。并且，生长出来的纳米线形状规则，便于与其他分枝纳米线连接形成三维结构。

本发明授权生长Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线的方法及Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线在权利要求书中公布了：1.一种生长Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线的方法，其特征在于，该方法包括：S1：在所述衬底上生长主枝纳米线；该步骤包括以下子步骤：S11：GaAs纳米线的低温成核：设置衬底的温度在630℃，调整Ga束流在5×10-6Torr，Al束流在5×10-6Torr,As束流在5×10-6Torr，使VIII束流之比为20；S12：先打开Ga源和衬底的挡板30秒，预沉积Ga液滴作为纳米线VLS生长所需的催化剂；然后再打开As源的挡板，开始GaAs纳米线的成核，生长10分钟后同时关闭Ga源，Al源和As源以及衬底的挡板；S13：GaAs纳米线的高温生长：关闭挡板后，在10分钟内将衬底温度升到640℃，同时打开Ga源和As源以及衬底的挡板，开始纳米线的高温生长；生长25分钟后关闭所有挡板，结束主枝纳米线的生长；S2：打开催化剂源和衬底的挡板，预沉积催化液滴作为次级纳米线生长所需的催化剂；然后打开分支纳米线的生长源，开始成核；该步骤包括以下子步骤：S21：GaAs纳米线的低温成核：设置衬底的温度在630℃，调整Ga束流在5×10-6Torr，Al束流在5×10-6Torr,As束流在5×10-6Torr，使VIII束流之比为30；S22：先打开Ga源和衬底的挡板30秒，预沉积Ga液滴作为纳米线VLS生长所需的催化剂；然后再打开As源的挡板，开始GaAs纳米线的成核，生长10分钟后同时关闭Ga源，Al源和As源以及衬底的挡板；S3：提高衬底温度，然后打开分支纳米线的生长源开始生长；该步骤包括：S31：GaAs纳米线的高温生长：关闭挡板后，在10分钟内将衬底温度升到660℃，同时打开Ga源和As源以及衬底的挡板，开始纳米线的高温生长；生长25～30分钟后关闭所有挡板，结束分枝纳米线的生长。

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