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龙图腾网恭喜浙江晶诚新材料有限公司申请的专利带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118684522B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411185675.8，技术领域涉及：C04B41/87；该发明授权带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座及其制备方法与应用是由傅霖兵;请求不公布姓名;门玉娟;请求不公布姓名;春伟博设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座及其制备方法与应用，该带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座的制备方法，包括以下步骤：将SiO粉体以及石墨基座置于反应容器中，石墨基座位于所述SiO粉体的挥发路径上；对反应容器进行抽真空处理并加热至1100℃‑1800℃，然后向反应容器中通入流量为100sccm‑1000sccm的惰性气体并保温，SiO粉体挥发形成SiO气体与石墨基座反应，在石墨基座的内部以及表面形成碳化硅；以及控制反应容器的温度在1100℃‑1500℃之间，向反应容器中通入稀释气体、硅源以及还原性气体在石墨基座的表面进行化学气相沉积反应，得到带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座。采用该制备方法制得的带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座具有优异的抗热震性能。

本发明授权带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将SiO粉体以及石墨基座置于反应容器中，所述石墨基座位于所述SiO粉体的挥发路径上，所述SiO粉体与所述石墨基座的质量比为1:2-1:6；对所述反应容器进行抽真空处理并加热至1300℃-1800℃，然后向所述反应容器中通入流量为900sccm-1000sccm的惰性气体并保温5h-10h，所述SiO粉体挥发形成的SiO气体与所述石墨基座反应，在所述石墨基座的内部以及表面形成碳化硅，所述SiO粉体挥发形成的SiO气体与所述石墨基座反应的步骤中，生成CO气体，所述CO气体降低所述反应容器内所述SiO气体的浓度；以及控制所述反应容器的温度在1100℃-1500℃之间，向所述反应容器中通入稀释气体、硅源以及还原性气体在所述石墨基座的表面进行化学气相沉积反应，得到带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座，其中，进行化学气相沉积反应的步骤中，反应温度为1300℃-1500℃，所述嵌入式碳化硅涂层包括嵌入部分以及表层部分，所述嵌入式碳化硅涂层的嵌入深度大于或等于700μm，所述表层部分中SiC晶粒呈类金字塔状。

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