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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种二维菱形相ZnIn₂S₄纳米片阵列光阳极的制备、层厚调控方法及光电探测应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118980724B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411124346.2，技术领域涉及：G01N27/30；该发明授权一种二维菱形相ZnIn₂S₄纳米片阵列光阳极的制备、层厚调控方法及光电探测应用是由龙丽媛;张珺珺;吕罡阳;王敦辉设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维菱形相ZnIn₂S₄纳米片阵列光阳极的制备、层厚调控方法及光电探测应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种二维菱形相ZnIn2S4纳米片阵列光阳极的制备、层厚调控方法及光电探测应用。在干净的导电衬底FTO上，以包括ZnCl2、InCl3·4H2O和CH4N2S的水溶液为前体溶液，直接通过一步简易水热法，原位制备ZnIn2S4纳米片阵列光阳极。基于ZnIn2S4的PEC型自供电光电探测器包括电解液、参比电极、工作电极、对电极，工作电极即为ZnIn2S4纳米片阵列光阳极。本发明开发了一种基于硫脲浓度调控的限域生长方法来双向地调控ZnIn2S4原子层的层数堆叠，从而基于不同层数的ZnIn2S4制备了ZnIn2S4PEC型自供电光电探测器。根据不同层数的ZnIn2S4可调谐的光电特性，实现了宽光谱光电探测和紫外光电探测。

本发明授权一种二维菱形相ZnIn₂S₄纳米片阵列光阳极的制备、层厚调控方法及光电探测应用在权利要求书中公布了：1.一种二维菱形相ZnIn2S4纳米片阵列光阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1获取洁净的导电玻璃FTO；2按预设配比将以下原料进行混合：ZnCl2、InCl3·4H2O和CH4N2S，溶于水中得到前体溶液；3将步骤1中所述导电玻璃FTO导电面进行等离子体表面处理；在等离子体表面处理后的有效时间内，将两片FTO呈“V”字型导电面朝下放入反应容器中，并加入步骤2中制备的前体溶液，进行水热反应后，在导电玻璃FTO导电面得到二维菱形相ZnIn2S4纳米片阵列；将导电玻璃FTO连同导电玻璃FTO导电面得到二维菱形相ZnIn2S4纳米片阵列，共同作为光阳极，用于制作PEC型自供电光电探测器的工作电极；制得的二维菱形相ZnIn2S4纳米片阵列光阳极包括:导电玻璃FTO和原位生长于所述导电玻璃FTO导电面的二维菱形相ZnIn2S4纳米片阵列；所述二维菱形相ZnIn2S4纳米片阵列由二维菱形相ZnIn2S4纳米片层叠组成；步骤2中，所述预设配比的设定，包括以下步骤：获取PEC型自供电光电探测器的探测目标的波长范围；根据探测目标的波长范围设定所述预设配比；探测目标的波长范围为355～765nm，所述ZnCl2、InCl3·4H2O和CH4N2S的预设摩尔比为：1：2：4；所述二维菱形相ZnIn2S4纳米片的层厚为44.8nm；或探测目标的波长范围为254～355nm，所述ZnCl2、InCl3·4H2O和CH4N2S的预设摩尔比为：1：2：16，所述二维菱形相ZnIn2S4纳米片的层厚为4nm。

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