深圳宏芯宇电子股份有限公司郭航旗获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳宏芯宇电子股份有限公司申请的专利芯片老化承载装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222866816U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421234721.4,技术领域涉及:G01R31/28;该实用新型芯片老化承载装置是由郭航旗;请求不公布姓名;张敦凯;请求不公布姓名;薛阿强;陈宗熙;郑颖彬;李国军;张文宗设计研发完成,并于2024-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片老化承载装置在说明书摘要公布了:本申请涉及芯片测试技术领域,公开了一种芯片老化承载装置,包括:芯片老化承载板,用于匹配至芯片老化测试装置进行芯片测试,所述芯片老化承载板的端面设有被动元件以及测试接触盘;所述被动元件缓冲所述芯片老化承载板与所述芯片老化测试装置的硬接触;所述测试接触盘包括用于提供主电源的信号的第一金属化接触盘、用于提供接地的信号的第二金属化接触盘以及用于提供输入输出电源的信号的第三金属化接触盘;所述第二金属化接触盘与所述第一金属化接触盘设有第一预设距离,所述第三金属化接触盘与所述第一金属化接触盘设有第二预设距离。本申请提高芯片老化测试的测试效率、准确性和可靠性。
本实用新型芯片老化承载装置在权利要求书中公布了:1.一种芯片老化承载装置,其特征在于,包括:芯片老化承载板,用于匹配至芯片老化测试装置进行芯片测试,所述芯片老化承载板的端面设有被动元件以及测试接触盘;所述被动元件缓冲所述芯片老化承载板与所述芯片老化测试装置的硬接触;所述测试接触盘包括用于提供主电源的信号的第一金属化接触盘、用于提供接地的信号的第二金属化接触盘以及用于提供输入输出电源的信号的第三金属化接触盘;所述第二金属化接触盘与所述第一金属化接触盘设有第一预设距离,所述第三金属化接触盘与所述第一金属化接触盘设有第二预设距离。
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