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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222869302U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421088058.1，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置是由陈顗伊;卢麒友;陈志良设计研发完成，并于2024-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体装置。一种半导体装置具有VFET结构包括：第一及第二主动区AR；第一及第二金属对栅极MG接触件，邻近于第一及第二AR的通道区；金属对源极汲极MD接触件及掩埋式MDBMD接触件，对应地耦合至第一及第二AR的对应的第一及第二SD区；以及金属对复晶硅MP接触件，位于与MG接触件相同的水准处，且在第一及第二MG接触件之间延伸并将第一及第二MG接触件耦合于一起；且相对于第一方向而言，第一及第二AR实质上对齐；且相对于垂直的第二方向而言，MP接触件的至少一部分实质上延伸超过第一及第二AR中的每一者。

本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种具有半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：主动区AR，包括相对于第一方向而言分隔开的第一主动区与第二主动区，所述第一主动区及所述第二主动区各自具有在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的通道轴，且各自具有相对于所述第二方向而言位于上覆的第一源极汲极SD区的选定部分与下伏的第二源极汲极SD区的选定部分之间的通道区；金属对栅极MG接触件，包括第一金属对栅极接触件及第二金属对栅极接触件，所述第一金属对栅极接触件及所述第二金属对栅极接触件对应地邻近于所述第一主动区的所述通道区及所述第二主动区的所述通道区且相对于所述第一方向而言分隔开；金属对源极汲极MD接触件及掩埋式金属对源极汲极BMD接触件，相对于所述第二方向而言，对应地耦合至所述第一主动区的对应的所述第一源极汲极区及所述第二源极汲极区以及所述第二主动区的对应的所述第一源极汲极区及所述第二源极汲极区；以及金属对复晶硅MP接触件，相对于所述第二方向而言位于与所述金属对栅极接触件相同的水准处，且相对于所述第一方向而言在所述第一金属对栅极接触件与所述第二金属对栅极接触件之间延伸并将所述第一金属对栅极接触件与所述第二金属对栅极接触件耦合于一起；并且相对于与所述第一方向及所述第二方向中的每一者垂直的第三方向而言，所述第一主动区与所述第二主动区实质上对齐；且相对于所述第三方向而言，所述金属对复晶硅接触件的至少一部分实质上延伸超过所述第一主动区及所述第二主动区中的每一者。

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