西安电子科技大学胡彦飞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种光导开关及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118588771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410531064.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种光导开关及其制备方法是由胡彦飞;张鑫鑫;党悦心;杨宏;马云诚设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光导开关及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光导开关及其制备方法，光导开关包括：衬底层、石墨烯层、阳极和阴极，其中，石墨烯层位于衬底层的上表面；阳极为环形结构，位于石墨烯层的上表面；阴极位于衬底层的下表面。本发明通过在衬底层和阳极之间设置石墨烯层，使得光导开关能够产生更多的光生载流子，进一步提高器件的量子效率。并且，由于石墨烯材料的表面具有平整和致密的特点，能够有效改善大脉冲下金属的电迁移，提升器件的稳定性和寿命，进而提高器件的可靠性。此外，由于石墨烯的半金属特性，使得器件内部原本垂直分布的电流有了径向分量，从而使得阳极边缘的聚集效应降低，提高了器件的耐压性。
本发明授权一种光导开关及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光导开关，其特征在于，包括：衬底层、石墨烯层、阳极和阴极，其中，所述石墨烯层位于所述衬底层的上表面，所述衬底层的材料包括SiC；所述阳极为环形结构，位于所述石墨烯层的上表面；所述阴极位于所述衬底层的下表面；所述阴极包括：第一子阴极、亚接触层、第一保护层、第二子阴极、第二保护层和第三子阴极，其中，所述第一子阴极为环形结构，位于所述衬底层的下表面；所述亚接触层位于所述第一子阴极的内部和所述第一子阴极的下表面；所述第一保护层为环形结构，位于所述亚接触层的下表面；所述第二子阴极位于所述第一保护层的内部和所述第一保护层的下表面；所述第二保护层为环形结构，位于所述第二子阴极的下表面；所述第三子阴极位于所述第二保护层的内部和所述第二保护层的下表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号