深圳市湃科集成技术有限公司孙家翔获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市湃科集成技术有限公司申请的专利一种新型封装的半导体器件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222867682U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202420889612.X,技术领域涉及:H01L23/498;该实用新型一种新型封装的半导体器件是由孙家翔;姚耀钦;顾凯设计研发完成,并于2024-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型封装的半导体器件在说明书摘要公布了:本申请属于半导体技术领域,公开了一种新型封装的半导体器件,其包括芯片,所述芯片设置有多个交替布局的电极,所述电极具有用于与外部电路进行连接的电极连接区域;基板组件,用于封装所述芯片,所述基板组件包括第一金属层和第二金属层,所述第一金属层和所述第二金属层均位于所述芯片的同侧,且所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述芯片的一侧,所述第一金属层与所述第二金属层电连接,所述第一金属层通过所述电极连接区域与所述芯片电连接;在垂直于所述芯片的方向上,多个所述电极分别通过所述第一金属层与所述第二金属层电连接。本申请具有提升半导体器件的散热,同时降低半导体器件内的寄生电阻的效果。
本实用新型一种新型封装的半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种新型封装的半导体器件,其特征在于,包括:芯片1,所述芯片1设置有多个交替布局的电极11,所述电极11具有用于与外部电路进行连接的电极连接区域12;基板组件2,用于封装所述芯片1,所述基板组件2包括第一金属层21和第二金属层22,所述第一金属层21和所述第二金属层22均位于所述芯片1的同侧,且所述第二金属层22位于所述第一金属层21远离所述芯片1的一侧,所述第一金属层21与所述第二金属层22电连接,所述第一金属层21通过所述电极连接区域12与所述芯片1电连接;在垂直于所述芯片1的方向上,多个所述电极11分别通过所述第一金属层21与所述第二金属层22电连接。
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