恭喜浙江大学杭州国际科创中心唐苇羽获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江大学杭州国际科创中心申请的专利冷却集成的芯片封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118263136B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410185809.X，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权冷却集成的芯片封装结构及其制造方法是由唐苇羽;吴赞;黄相博设计研发完成，并于2024-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本冷却集成的芯片封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及冷却集成的芯片封装结构及其制造方法。该用于制造冷却集成的芯片封装结构的方法包括：根据基板的第一侧的芯片安装位，形成从基板的第二侧凹入所述基板的多条微通道；形成流道层，流道层具有并列的多条流道；形成层叠于流道层的歧管层，歧管层具有的多个歧管中，第一组歧管和第二组歧管交错设置，且每组歧管连通于不同的流道；将流道层与基板固定，使流道与微通道连通，且流道的延伸方向与微通道的延伸方向交叉；形成配流层，配流层具有入口槽和出口槽；以及安装配流层在歧管层背向流道层的一侧，使入口槽与第一组的歧管连通，使出口槽与第二组的歧管连通。该方法可以针对性地形成微通道，实现在芯片安装位处较均衡的散热。
本发明授权冷却集成的芯片封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.用于制造冷却集成的芯片封装结构的方法，其特征在于，包括：根据基板的第一侧的芯片安装位，形成从所述基板的第二侧凹入所述基板的多条微通道；形成流道层，所述流道层具有并列的多条流道；形成层叠于所述流道层的歧管层，所述歧管层具有的多个歧管中，第一组所述歧管和第二组所述歧管交错设置，且每组所述歧管连通于不同的所述流道；将所述流道层与所述基板固定，使所述流道与所述微通道连通，且所述流道的延伸方向与所述微通道的延伸方向交叉；形成配流层，所述配流层具有入口槽和出口槽；以及安装所述配流层在所述歧管层背向所述流道层的一侧，使所述入口槽与所述第一组的歧管连通，使所述出口槽与所述第二组的歧管连通。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学杭州国际科创中心，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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